英特爾2奈米 2024量產

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英特爾2奈米 2024量產

英特爾新技術藍圖及產品線推出時程

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半導體大廠英特爾27日召開Intel Accelerated技術說明會併發布全新技術藍圖,宣佈將於2024年進入埃米(angstorm)時代,並推出Intel 20A(2奈米)製程,預期2023年後問世、2024年進入生產。

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值得注意的是,臺積電採用奈米層片(nanosheet)技術的GAA架構2奈米制程研發相當順利,預計2024年開始進入量產階段,與英特爾前述製程推出時程相近。業內認爲,多年來臺積電急起直追,至今兩個半導體巨擘在先進製程的推進上,已可以算是「並駕其驅」。至於三星晶圓代工GAA架構「3奈米」製程將於2023年推出,預計2024年進入量產,明顯還落居在後。

業內人士透露,這其中有些技術進度的互爭先後,其實頗耐人尋味,英特爾自己是品牌廠,新制程的開發完成與進入生產、一直到可以大量供貨,其間的時程可以自己微調,但像臺積電這種晶圓代工廠,通常一直要到幫客戶生產出貨纔算數,因此認真「計較」起兩家的先進製程競賽,其實臺積電已經幾乎與英特爾「並轡而行」。

英特爾說明,由於基礎製程創新歷史悠久,推動產業前進並破除限制,在90奈米領銜轉換至應變矽,於45奈米採用高介電金屬閘極(HKMG),於22奈米導入鰭式場效電晶體(FinFET),Intel 20A將進入GAA架構且是另外一個製程技術的分水嶺,提供RibbonFET和PowerVia等兩款突破式創新技術。

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英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)指出,產業早已意識到目前以奈米爲基礎的製程節點命名方式,並不符合自1997年起採用閘極長度爲準的傳統,所以英特爾公佈其製程節點全新命名結構,給予客戶更爲精確的製程節點認知。

英特爾10奈米加強版(Enhanced)SuperFin製程將改名爲Intel 7(7奈米),將會在2021年量產新一代Alder Lake處理器,2022年第一季量產Sapphire Rapids伺服器處理器。原本英特爾7奈米將改名爲Intel 4(4奈米),全面導入EUV微影技術,採用該製程的Meteor Lake處理器及Granite Rapids伺服器處理器將於2023年開始出貨。

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Intel 20A製程還包括業界首次實作的背部供電,藉由移除晶圓正面供電所需迴路,以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A預計將於2024年逐步量產,除了生產英特爾處理器,也會爲高通代工手機晶片。英特爾改良自RibbonFET的Intel 18A已進入開發階段,預計於2025年初問世,將爲電晶體帶來另一次的重大性能提升。

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